真空炉中的资料特性要求：物理化学性能的极限应战
真空炉的工作环境通常伴随高温（1000–2500°C）、真空或慵懒气氛、强腐蚀性介质等极端条件，因此石墨制品需满意以下中心特性要求：
超高纯度与低杂质含量
纯度规范：石墨纯度需达到99.9%以上，要害部件（如加热元件）甚至要求99.99%以上的超高纯度，以避免杂质在高温下蒸发污染工件。例如，半导体单晶硅生长炉中，石墨坩埚的金属杂质（如Fe、Ni）含量必须低于10ppm。
灰分控制：灰分含量需低于0.1%，避免灰分在高温下形成熔融物，导致炉内结渣或资料失效。
极端温度下的稳定性
高温强度：石墨在2500°C以下需保持稳定机械强度，抗弯强度应高于20MPa（测试规范：ASTM C651）。
抗热震性：石墨需耐受瞬间温度改变（如从2000°C骤降至室温），热震系数（ΔT）需超过500°C/min。
化学慵懒与抗腐蚀才能
抗氧化性：在真空或低氧环境中，石墨需通过外表SiO2保护膜或涂层技能，实现抗氧化寿命超过1000小时（800°C工况）。
耐腐蚀性：在熔融金属（如铝液）、酸性气体（如Cl2）环境中，石墨需具有长期抗腐蚀才能，腐蚀速率低于0.1 mm/年。
导电与导热性能的精准调控
导电性：电阻率需控制在8–15μΩ·m范围内，以满意不同功率加热元件的电流承载需求。
热导率：石墨的导热系数需根据应用场景调整，例如隔热屏需低热导率（<10W/m·K），而散热部件则需高热导率（>100 W/m·K）。
